[단독] 삼성, ’한화세미텍과 中 특허 ’ 반도체 장비 공급망 다변화...7월 中서 752건 확보

[더구루=정예린 기자] 삼성전자가 지난달 중국에서 750건이 넘는 특허를 확보하며 인공지능(AI), 전고체 배터리, 확장현실(XR) 등 전략 기술 분야에서 미래 기술 주도권 확보에 속도를 내고 있다. 국내외 파트너사와의 공동 개발 성과도 확대되며 삼성의 기술 경쟁력 강화에 힘을 보태고 있다.

8일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난 7월 한 달 동안 삼성전자 (KS:005930), 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기 등이 2019년부터 올 3월까지 출원한 752건의 특허를 승인했다. 승인 절차는 9일에 걸쳐 이뤄졌으며, 하루 평균 약 24건의 특허가 등록됐다.

계열사별로는 삼성전자가 390건으로 전체의 절반 이상을 차지했다. △삼성디스플레이(160건) △삼성SDI(107건) △삼성전기(91건) 등이 뒤를 이었다.

◆’이례적’ 외부 전문 기업과 후공정 장비 분야 공동 개발 기술 특허 출원

삼성전자는 장비 자동화 부문에서 외부 파트너사와의 협력을 확대하고 있다. 특히 한화세미텍(옛 한화정밀기계)과 공동 개발한 ’노즐 검사 및 배출 시스템(특허번호 CN120379238A)’과 ’부품 실장 장비(특허번호 CN120358731A)’ 등 2건의 특허가 주목된다.

’노즐 검사 및 배출 시스템’ 특허는 표면실장기기(SMT)의 노즐 오염 여부를 자동으로 감지하고 비정상 부품을 제거·교체하는 기술로, 생산 공정의 품질 관리와 자동화 수준을 크게 향상시킨다. ’부품 실장 장비’ 특허는 다양한 크기와 형상의 전자 부품을 고속·정밀하게 배치하는 기술이 적용돼 스마트팩토리 구축과 자율 공정 운영에서 중추 역할을 할 수 있는 기반 기술로 평가받는다.

해당 특허들은 상용화 시 SMT 기반 반도체 패키징 후공정에서 정밀한 부품 실장과 장비 자동화 효율을 크게 향상시키는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.

특히 삼성전자가 전공정 장비 중심의 협력사인 세메스 외에 후공정 장비 분야에서 외부 전문 기업과 공동 개발한 기술을 특허로 출원한 것은 이례적인 사례다. 이는 삼성전자가 장비 내재화뿐 아니라 협력 생태계 다변화 전략도 적극 추진하고 있음을 보여준다.

◆AI 엣지 디바이스와 고성능 컴퓨팅 동시 겨냥

삼성전자는 AI 모델 효율화와 차세대 컴퓨팅 구조 관련 기술에서도 두드러진 존재감을 드러냈다. ’RISC-V(리스크파이브) 기반 벡터 연산 명령어 처리 방법 및 장치(특허번호 CN120315761A)’ 특허는 AI 연산 효율을 끌어올리기 위한 명령어 셋 최적화 기술로, 기존 아키텍처의 제약을 넘는 범용성과 확장성을 제공한다. 향후 AI 엣지 디바이스와 고성능 컴퓨팅을 동시에 겨냥한 전략적 행보로 풀이된다.

’모델 양자화 방법 및 장치(특허번호 CN120278205A)’, ’확산 모델 양자화 방법 및 전자 장치(특허번호 CN120258070A)’ 등 AI 모델 경량화 기술도 다수 포함됐다. 이는 메모리·연산 자원을 줄이면서도 고성능을 유지하는 기술로, 모바일·임베디드 환경에서 AI 구현을 용이하게 한다.

또 ’딥러닝 추천 모델 학습 방법 및 장치(특허번호 CN120278294A)’, ’적응형 경량 기계학습 모델을 위한 장치 및 방법(특허번호 CN120278204A)’ 등 사용자 맞춤형 AI 처리 기술 역시 승인 특허에 포함됐다. 삼성전자의 AI 반도체 및 소프트웨어 최적화 전략의 일환으로 해석된다.

메모리 분야에서는 ’수직 적층형 메모리 소자 및 이를 포함하는 전자 장치(특허번호 CN120264753A)’, ’강유전체 전계 효과 트랜지스터 및 신경망 소자(특허번호 CN120379305A)’ 등 차세대 소자 구조 관련 특허도 승인받았다. 이는 AI 연산에 최적화된 뉴로모픽(Neuro-morphic) 메모리 및 신소자 개발 로드맵과 연동된다.

◆미래컴퍼니와 협업한 ’전고체 배터리 제조 방법’ 특허 눈길

삼성SDI는 지난달 리튬 전구체 회수, 전고체 전지 제조, 배터리팩 등 차세대 배터리 생산 기술 관련 다수의 중국 특허를 확보했다. 리튬 자원 재활용을 위한 ’리튬 전구체 회수 및 양극재 제조 방법(특허번호 CN120348963A)’, 배터리 안정성 향상을 위한 ’에폭시 수지 조성물(특허번호 CN120365689A)’ 등 관련 기술이 포함됐다.

전고체 전지 기술 협력도 눈에 띈다. 삼성전기와 공동 출원한 ’배터리 가열 장치(CN120341440A)’ 특허는 제조 과정에서 정밀한 온도 관리로 품질 향상을 도모하며, 미래컴퍼니와 협업한 ’전고체 배터리 제조 방법(CN120283322A)’ 특허는 생산 공정 효율성 제고에 핵심적인 역할을 한다.

삼성전기는 반사 모듈, 카메라 시스템, 다층 전자 부품 등 소형 정밀 부품 분야에서 다수의 중국 특허를 확보했다. ’반사 모듈 및 카메라 모듈(특허번호 CN120370500A)’, ’광학 결상 시스템(특허번호 CN120294949A)’ 등은 고성능 카메라 모듈의 소형화와 정밀도 향상에 기여할 것으로 기대된다. ’고체 산화물 전지(특허번호 CN120359638A)’ 특허를 통해 배터리 기술 확보에도 속도를 내며 전지 소재 분야로의 기술 다변화 가능성도 내비쳤다.

◆AR·VR기기 디스플레이 부품 및 소재 경쟁력도 확보

삼성디스플레이는 투명 디스플레이, XR 장치 등 미래 디스플레이 기술 관련 특허를 집중 확보했다. ’투명 수지층 제조 방법 및 디스플레이 제조 방법 투명 수지층을 포함하는 장치(특허번호 CN120386148AA)’, ’XR 헤드마운트디스플레이(HMD)용 디스플레이 장치(특허번호 120282661A)’ 등이 포함됐다. 이는 차세대 증강현실(AR)·가상현실(VR)기기 디스플레이 부품 및 소재 경쟁력 확보를 위한 전략적 특허로 분석된다.

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